Nanoprzełączniki, które przechowują więcej danych - FLASH - DYSK - MEMRYSTOR - HEWLETT PACKARD - HYNIX - PAMIĘCI MEMRYSTOROWE
Mouser Electronics Poland   Przedstawicielstwo Handlowe Paweł Rutkowski   Amper.pl sp. z o.o.  

Energetyka, Automatyka przemysłowa, Elektrotechnika

Dodaj firmę Ogłoszenia Poleć znajomemu Dodaj artykuł Newsletter RSS
strona główna Aktualności Nanoprzełączniki, które przechowują więcej danych
drukuj stronę
poleć znajomemu

Nanoprzełączniki, które przechowują więcej danych

Nanoprzełączniki, które przechowują więcej danych
fot. StanWilliams, HP Labs

W ciągu najbliższych lat zostanie wprowadzony do produkcji elektroniczny komponent umożliwiający większe upakowania danych w komputerach i urządzeniach przenośnych. Hewlett-Packard we współpracy z koreańskim producentem elektroniki Hynix Semiconductor rozpocznie produkcję komponentów o nazwie "memrystory" już w 2013 r. Urządzenia przechowujące dane zbudowane z memrystorów będą w stanie przechowywać znacznie więcej danych niż jest to możliwe przy użyciu współczesnych technologii.

Memrystory są nano-switchami o zmiennej rezystancji, posiadają efekt pamięci, tzn. ich rezystancja nie zmienia się nawet po odłączeniu zasilania. Czyni to je podobnymi do tranzystorów, za pomocą których przechowywane są dane w pamięciach typu flash. To co daje im przewagę nad tranzystorami jest rozmiar. W chwili gdy producenci flash eksperymentują z tranzystorami o rozmiarze 20nm, memrystory spokojnie mogą być wykonywane w 3-nm procesie technologicznym.

- Celem jest podwojenie wszystkiego co mamy w pamięciach typu flash. Wiemy, że pobijemy ten standard w prędkości, wydajności, wytrzymałości oraz w gęstości upakowania danych - mówi Stanley Williams z HP, który pracował nad tą technologią przez około 5 lat i można powiedzieć, że memrystory są jego "dzieckiem".

HP będzie tworzyć memrystory poprzez składanie metalowych nanoprzewodów, nakładając następnie warstwę dwutlenku tytanu, a następnie nakładając drugą warstwę nanoprzewodów prostopadłą do poprzedniej. Tam, gdzie warstwy się przecinają tworzony jest memrystor. 

HP spodziewa się pierwszych pamięci memrystorowych o gęstości upakowania danych rzędu 20GB/cm2, co jest wynikiem dwukrotnie lepszym niż ten, jakim mogą się pochwalić współczesne pamięci flash.

technologyreview.com

follow us in feedly
REKLAMA

Otrzymuj wiadomości z rynku elektrotechniki i informacje o nowościach produktowych bezpośrednio na swój adres e-mail.

Zapisz się
Administratorem danych osobowych jest Media Pakiet Sp. z o.o. z siedzibą w Białymstoku, adres: 15-617 Białystok ul. Nowosielska 50, @: biuro@elektroonline.pl. W Polityce Prywatności Administrator informuje o celu, okresie i podstawach prawnych przetwarzania danych osobowych, a także o prawach jakie przysługują osobom, których przetwarzane dane osobowe dotyczą, podmiotom którym Administrator może powierzyć do przetwarzania dane osobowe, oraz o zasadach zautomatyzowanego przetwarzania danych osobowych.
Komentarze (0)
Dodaj komentarz:  
Twój pseudonim: Zaloguj
Twój komentarz:
dodaj komentarz
REKLAMA
REKLAMA
Nasze serwisy:
elektrykapradnietyka.com
przegladelektryczny.pl
rynekelektroniki.pl
automatykairobotyka.pl
budowainfo.pl