Ricoh opracował generator napięcia referencyjnego zasilany panięciem o wartości 1V i niższymi

Ogólnie, źródła napięcia referencyjnego, które wykorzystują temperaturowe charakterystyki napięcia baza-emiter (V_be) tranzystorów bipolarnych są używane w różnego rozwiązaniach napięć referencyjnych. Jednak w tych metodach, pasmo zabronione krzemowych materiałów ma szerokość 1,25V i nie jest możliwe zasilanie źródła napięcia odniesienia napięciem o wartościach poniżej 1,25V. Co więcej korzystanie z tranzystorów bipolarnych zwiększa energochłonność.

Jest możliwe stworzenie źródła napięcia referencyjnego dla instalacji niskonapięciowych używając tranzystora MOS (metal oxide semiconductor) jeśli architektura obwodu zostanie poprawiona. Przykładowo, generator napięcia referencyjnego  może być zrealizowany przez używanie tranzystorów posiadających różne napięcia progowe. Jednakże w tej metodzie zmiany napięcia progowego powodują również zmiany napięcia referencyjnego.

Ricoh opracował technologię pozwalającą na osiągnięcie stabilnego napięcia referencyjnego +1V i niższego. Firma stworzyła 2 tranzystory MOS, których bramki wykonane są z różnych materiałów i wykorzystują charakterystyki temperaturowe różnicy między funkcjami pracy obu materiałów bramek.

Ricoh planuje skomercjalizować nową technologię w 2011r. Ponieważ  źródło napięcia referencyjnego w tej technologii może być zasilane napięciem o wartości 1V i niższym możliwe jest dostarczenie napięcia referencyjnego wcześniej, niż jest to w stanie zrobić jakikolwiek inny system wykorzystywany w urządzeniach elektronicznych. 

Firma twierdzi, że dzięki temu rozwiązaniu możliwe będzie uniknięcie skomplikowanej sekwencji kontrolnej bootowania.

http://techon.nikkeibp.co.jp